
YENİ M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 artı HYNIX V7
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 plus Hynix V7 1.ÜRÜN ÖZELLİKLERİ Kapasite − 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB − 32-bit adresleme modunu destekler Elektriksel/Fiziksel Arayüz − PCIe Arayüzü − NVMe 1.3 ile uyumlu − PCIe Express Base Ver 3.1 − PCIe Gen 3 x 4 lane & geriye dönük uyumlu...
M.2 2280 S2 NVME SSD HG2283 artı Hynix V7
1.ÜRÜN ÖZELLİKLERİ
Kapasite
− 128GB, 256GB, 512GB, 1024GB, 2048GB
− 32-bit adresleme modunu destekleyin
Elektriksel/Fiziksel Arayüz
− PCIe Arayüzü
− NVMe 1.3 ile uyumlu
− PCIe Express Base Sürüm 3.1
− PCIe Gen 3 x 4 hat ve PCIe Gen 2 ve Gen 1 ile geriye dönük uyumlu
− 64K'ya kadar sıra derinliği ile QD 128'e kadar destek
− Destek güç yönetimi
Desteklenen NAND Flash
− Tek bir tasarımda 16 adede kadar Flash Chip Enable (CE) desteği
- 4 adede kadar BGA132 flaş desteği
− 8-bit I/O NAND Flash desteği
− Toggle2.0, Toggle3.0, ONFI 2.3, ONFI 3.0, ONFI 3.2 ve ONFI 4.0 arayüzünü destekler
Samsung V6 3D NAND
Hynix V7 3D NAND
ECC Şeması
− HG2283 PCIe SSD, ECC algoritmasının LDPC'sini uygular.
Sektör Büyüklüğü Desteği
− 512B
- 4KB
UART/GPIO
SMART ve TRIM komutlarını destekler
LBA Aralığı
− IDEMA standardı
Verim
HG2283 artı Hynix V7'nin performansı (1200 Mbps)
|
Kapasite |
Flaş Yapısı (BGA Paketi) |
CE# |
Flaş Tipi |
Sıralı (CDM) |
IOMmetre |
||
|
Okuma (MB/sn) |
Yazma (MB/sn) |
Oku (IOPS) |
Yaz (IOPS) |
||||
|
128GB |
DDP x 1 |
2 |
BGA132, Hynix V7 |
1650 |
1100 |
195K |
260K |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
1850 |
360K |
450K |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2090 |
360K |
475K |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
BGA132, Hynix V7 |
3100 |
2200 |
360K |
480K |
NOTLAR:
1. Performans, Hynix V7 TLC NAND flaşına dayalıdır.
GÜÇ TÜKETİMİ
|
Kapasite |
Flaş Yapılandırması (BGA Paketi) |
|
Güç tüketimi3 |
|
|
|
Oku (mW) |
Yaz (mW) |
PS3 (mW) |
PS4 (mW) |
||
|
128GB |
DDP x 1 |
2940 |
2530 |
50 |
5 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4120 |
3400 |
50 |
5 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
4090 |
3390 |
50 |
5 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
4050 |
3380 |
50 |
5 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
4440 |
3810 |
50 |
5 |
NOTLAR:
1. Veriler, Hynix V7 512Gb mono die TLC Flash'a göre ölçülmüştür.
2. Güç tüketimi, IOMeter tarafından gerçekleştirilen sıralı okuma ve yazma işlemleri sırasında ölçülür.
Flaş Yönetimi
1.4.1. Hata Düzeltme Kodu (ECC)
Flash bellek hücreleri, depolanan verilerde rasgele bit hataları oluşturabilecek şekilde kullanıldıkça bozulacaktır. Bu nedenle, HG2283 PCIe SSD, okuma işlemi sırasında oluşan hataları algılayıp düzeltebilen, verilerin doğru okunmasını sağlamanın yanı sıra verileri bozulmaya karşı koruyan ECC algoritmasının LDPC'sini (Düşük Yoğunluk Eşlik Kontrolü) uygular.
1.4.2. Aşınma Tesviyesi
NAND flash aygıtları, yalnızca sınırlı sayıda program/silme döngüsünden geçebilir, flash ortam eşit şekilde kullanılmadığında, bazı bloklar diğerlerinden daha sık güncellenir ve aygıtın kullanım ömrü önemli ölçüde azalır. Bu nedenle, yazma ve silme döngülerini ortam genelinde eşit olarak dağıtarak NAND flaşın ömrünü uzatmak için aşınma dengelemesi uygulanır.
HosinGlobal, flaş kullanımını tüm flaş ortamı alanına verimli bir şekilde yayan gelişmiş aşınma dengeleme algoritması sağlar. Ayrıca, hem dinamik hem de statik yıpranma dengeleme algoritmalarının uygulanmasıyla, NAND flaşın kullanım ömrü büyük ölçüde iyileştirildi.
1.4.3. Kötü Blok Yönetimi
Hatalı bloklar, düzgün çalışmayan veya saklanan verilerin kararsız olmasına neden olan daha fazla geçersiz bit içeren bloklardır ve güvenilirlikleri garanti edilmez. Üretici tarafından kötü olarak tanımlanan ve işaretlenen bloklara "Erken Kötü Bloklar" adı verilir. Flaşın ömrü boyunca geliştirilen bozuk bloklara "Sonraki Kötü Bloklar" adı verilir. HosinGlobal, fabrikada üretilen kötü blokları tespit etmek için verimli bir kötü blok yönetimi algoritması uygular ve kullanımla ortaya çıkan kötü blokları yönetir. Bu uygulama, verilerin kötü bloklarda saklanmasını önler ve veri güvenilirliğini daha da artırır.
1.4.4. DÖKÜM
TRIM, katı hal sürücülerinin (SSD) okuma/yazma performansını ve hızını artırmaya yardımcı olan bir özelliktir. Sabit disk sürücülerinden (HDD) farklı olarak, SSD'ler mevcut verilerin üzerine yazamaz, bu nedenle kullanılabilir alan her kullanımda kademeli olarak küçülür. TRIM komutu ile işletim sistemi, artık kullanılmayan veri bloklarının kalıcı olarak kaldırılabilmesi için SSD'yi bilgilendirebilir. Böylece SSD, kullanılmayan verilerin blokları her zaman işgal etmesini önleyen silme işlemini gerçekleştirecektir.
1.4.5. AKILLI
Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology'nin kısaltması olan SMART, katı hal sürücüsünün sağlığını otomatik olarak algılamasına ve olası arızaları bildirmesine olanak tanıyan açık bir standarttır. SMART tarafından bir arıza kaydedildiğinde, kullanıcılar beklenmeyen kesinti veya veri kaybını önlemek için sürücüyü değiştirmeyi seçebilir. Ayrıca SMART, verileri başka bir cihaza kaydetmek gibi proaktif eylemleri gerçekleştirmek için hala zaman varken kullanıcıları olası arızalar hakkında bilgilendirebilir.
1.4.6. Fazla Provizyon
Over Provisioning, bir SSD'de kullanıcılar tarafından görülemeyen ve onlar tarafından kullanılamayan, kullanıcı kapasitesinin ötesinde ek alanın korunmasını ifade eder. Ancak, bir SSD denetleyicisinin daha iyi performans ve WAF için ek alan kullanmasına izin verir. Over Provisioning ile performans ve IOPS (Saniye Başına Giriş/Çıkış İşlemleri), P/E döngülerini yönetmek için denetleyiciye ek alan sağlanarak iyileştirilir, bu da güvenilirliği ve dayanıklılığı artırır. Ayrıca, SSD'nin yazma yükseltmesi,
denetleyici flaşa veri yazar.
1.4.7. Donanım Yazılımı Yükseltme
Bellenim, cihazın ana bilgisayarla nasıl iletişim kurduğuna ilişkin bir dizi talimat olarak düşünülebilir. Ürün yazılımı, yeni özellikler eklendiğinde, uyumluluk sorunları giderildiğinde veya okuma/yazma performansı iyileştirildiğinde yükseltilebilir.
1.4.8. Termal Kısma
Termal azaltmanın amacı, okuma ve yazma işlemleri sırasında bir SSD'deki herhangi bir bileşenin aşırı ısınmasını önlemektir. HG2283, kalıp üstü bir termal sensör ve doğruluğu ile tasarlanmıştır; aygıt yazılımı, koruma amacına AKILLI okuma yoluyla verimli ve proaktif bir şekilde ulaşmak için farklı azaltma seviyeleri uygulayabilir.
1.5. Gelişmiş Cihaz Güvenliği Özellikleri
1.5.1. Güvenli Silme
Güvenli Silme, standart bir NVMe biçim komutudur ve sabit sürücülerdeki ve SSD'lerdeki tüm verileri tamamen silmek için tüm "0x00"leri yazacaktır. Bu komut verildiğinde, SSD denetleyicisi depolama bloklarını silecek ve fabrika varsayılan ayarlarına geri dönecektir.
1.5.2. Kripto Silme
Kripto Silme, diskin kriptografik anahtarını sıfırlayarak OPAL etkinleştirilmiş bir SSD'nin veya "SED" (Güvenliği Etkinleştirilmiş Disk) sürücüsünün tüm verilerini silen bir özelliktir. Anahtar değiştirildiğinden, önceden şifrelenmiş veriler işe yaramaz hale gelecek ve veri güvenliği amacına ulaşılacaktır.
1.5.3. Fiziksel Varlık SID'si (PSID)
Fiziksel Varlık SID'si (PSID), TCG OPAL tarafından bir 32-karakter dizisi olarak tanımlanır ve amaç, sürücü hala OPAL etkinken SSD'yi üretim ayarına geri döndürmektir. OPAL ile etkinleştirilen bir SSD, PSID geri döndürme özelliğini desteklediğinde, PSID kodu bir SSD etiketine yazdırılabilir.
1.6. SSD Ömür Boyu Yönetimi
1.6.1. Yazılan Terabayt (TBW)
TBW (Yazılan Terabayt), SSD'lerin veri miktarını temsil eden beklenen kullanım ömrünün bir ölçümüdür.
cihaza yazılır. Bir SSD'nin TBW'sini hesaplamak için aşağıdaki denklem uygulanır:
TBW = [(NAND Dayanıklılığı) x (SSD Kapasitesi)] / [WAF]
NAND Dayanıklılığı: NAND dayanıklılığı, bir NAND flaşın P/E (Program/Silme) döngüsünü ifade eder.
SSD Kapasitesi: SSD kapasitesi, bir SSD'nin toplam spesifik kapasitesidir.
WAF: Yazma Yükseltme Faktörü (WAF), bir SSD denetleyicisinin yazması gereken veri miktarı ile ana bilgisayarın flaş denetleyicisinin yazdığı veri miktarı arasındaki oranı temsil eden sayısal bir değerdir. 1'e yakın olan daha iyi bir WAF, flash belleğe daha iyi dayanıklılık ve daha düşük veri yazma sıklığını garanti eder.
Bu belgedeki TBW, JEDEC 218/219 iş yüküne dayanmaktadır.
1.6.2. Medya Aşınma Göstergesi
SMART Nitelik bayt dizini [5] tarafından bildirilen gerçek ömür göstergesi, Kullanılan Yüzde, Kullanıcının yüzde 100'e ulaştığında sürücüyü değiştirmesini önerir.
1.6.3. Salt Okunur Modu (Ömrünün Sonu)
Sürücü, kümülatif program/silme döngüleri ile eskidiğinde, ortamın aşınması, daha sonra artan sayıda hatalı bloğa neden olabilir. Kullanılabilir iyi blokların sayısı tanımlanmış bir kullanılabilir aralığın dışına düştüğünde, sürücü, daha fazla veri bozulmasını önlemek için AER olayı ve Kritik Uyarı yoluyla Ana Bilgisayarı Salt Okunur Moduna girmesi konusunda bilgilendirir. Kullanıcı, sürücüyü hemen bir başkasıyla değiştirmeye başlamalıdır.
1.7. Performans Ayarına Adaptif Yaklaşım
1.7.1. Verim
Diskin kullanılabilir alanına bağlı olarak HG2283, okuma/yazma hızını düzenleyecek ve iş hacminin performansını yönetecektir. Hala çok fazla alan kaldığında, üretici yazılımı sürekli olarak okuma/yazma eylemi gerçekleştirecektir. Performansı artırmak için okuma/yazma işlemini hızlandıracak olan belleği ayırmak ve serbest bırakmak için çöp toplamayı uygulamaya hala gerek yoktur. Aksine, alan tükendiğinde, HG2283 okuma/yazma işlemini yavaşlatacak ve belleği serbest bırakmak için çöp toplama işlemini gerçekleştirecektir. Bu nedenle, okuma/yazma performansı yavaşlayacaktır.
1.7.2. Tahmin Et ve Getir
Normalde, Ana Bilgisayar PCIe SSD'den veri okumaya çalıştığında, PCIe SSD bir komut aldıktan sonra yalnızca bir okuma eylemi gerçekleştirir. Ancak HG2283, okuma hızını artırmak için Tahmin Et ve Al'ı uygular. Ana bilgisayar PCIe SSD'ye sıralı okuma komutları verdiğinde, PCIe SSD otomatik olarak aşağıdaki komutların da okunmasını bekler. Böylece, bir sonraki komutu almadan önce, flaş zaten verileri hazırlamıştır. Buna göre bu, veri işleme süresini hızlandırır ve ana bilgisayarın veri almak için çok uzun süre beklemesine gerek kalmaz.
1.7.3. SLC Önbelleğe Alma
HG2283'ün üretici yazılımı tasarımı, daha iyi dayanıklılık ve tüketici kullanıcı deneyimi için daha iyi performans sağlamak üzere şu anda dinamik önbelleğe almayı benimsiyor.
3.1. Çevre Koşulları 3.1.1. Sıcaklık ve Nem
Tablo 3-1 Yüksek Sıcaklık
|
|
Sıcaklık |
Nem |
|
Operasyon |
70 derece |
Yüzde 0 bağıl nem |
|
Depolamak |
85 derece |
Yüzde 0 bağıl nem |
Tablo 3-2 Düşük Sıcaklık
|
|
Sıcaklık |
Nem |
|
Operasyon |
0 derece |
Yüzde 0 bağıl nem |
|
Depolamak |
-40 derece |
Yüzde 0 bağıl nem |
Tablo 3-3 Yüksek Nem
|
|
Sıcaklık |
Nem |
|
Operasyon |
40 derece |
yüzde 90 bağıl nem |
|
Depolamak |
40 derece |
yüzde 93 bağıl nem |
Tablo 3-4 Sıcaklık Döngüsü
|
|
Sıcaklık |
|
Operasyon |
0 derece |
|
70 derece1 |
|
|
Depolamak |
-40 derece |
|
85 derece |
notlar:
1. Çalışma sıcaklığı, SMART Airflow ile karar verilebilen kasa sıcaklığı ile ölçülür ve bu, ağır iş yükü ortamında cihazın her bir bileşen için uygun sıcaklıkta çalışmasını sağlar.
3.1.2. Şok
Tablo 3-5 Şok
|
|
Hızlanma Kuvveti |
|
operasyonel değil |
1500G |
3.1.3. Titreşim
Tablo 3-6 Titreşim
|
|
koşul |
İyon |
|
Frekans/Yer Değiştirme |
Frekans/Hızlanma |
|
|
operasyonel değil |
20Hz~80Hz/1.52mm |
80Hz~2000Hz/20G |
3.1.4. Düşürmek
Tablo 3-7 Bırak
|
|
|
Düşme Yüksekliği |
|
|
Düşme Sayısı |
|
operasyonel değil |
|
80cm serbest düşüş |
|
|
Her birimin 6 yüzü |
|
3.1.5. bükme |
Tablo 3-8 Bükme |
|
|
||
|
|
|
Güç |
|
|
Aksiyon |
|
operasyonel değil |
|
20N'den büyük veya eşit |
|
|
1dk/5 kez basılı tutun |
|
3.1.6. tork |
Tablo 3-9 Tork |
|
|
||
|
|
|
Güç |
|
|
Aksiyon |
|
operasyonel değil |
|
0,5N-m veya ±2,5 derece |
|
|
1dk/5 kez basılı tutun |
|
3.1.7. Elektrostatik Deşarj (ESD) |
Tablo 3-10 ESD |
|
|
||
|
Şartname |
|
|
artı /- 4KV |
|
|
|
EN 55024, CISPR 24 EN 61000-4-2 ve IEC 61000-4-2 |
Cihaz işlevleri etkilenir, ancak EUT otomatik olarak normal veya çalışır duruma geri döner. |
||||
4. ELEKTRİK ÖZELLİKLERİ
4.1. Besleme gerilimi
Tablo 4-1 Besleme Gerilimi
|
Parametre |
Değerlendirme |
|
Çalışma gerilimi |
Min=3,14 V Maks=3,47 V |
|
Yükselme Süresi (Maks/Dk) |
10 ms / 0,1 ms |
|
Düşme Süresi (Maks/Dk) |
1500ms / 1ms |
|
dak. Kapalı Zaman1 |
1500 ms |
NOT:
1. Gücün SSD'den çıkarılması (Vcc < 100 mV) ile sürücüye yeniden güç verilmesi arasındaki minimum süre.
4.2. Güç tüketimi
Tablo 4-2 mW cinsinden Güç Tüketimi
|
Kapasite |
Flaş Yapılandırması |
CE# |
Okuma (Maks) |
Yaz (Maks) |
Okumak (Ortalama) |
Yaz (Ort.) |
|
128GB |
DDP x 1 |
2 |
3200 |
2930 |
2940 |
2530 |
|
256 GB |
DDP x 2 |
4 |
4650 |
4560 |
4120 |
3400 |
|
512 GB |
QDP x 2 |
8 |
5260 |
4190 |
4090 |
3390 |
|
1024 GB |
QDP x 4 |
16 |
5350 |
6070 |
4050 |
3380 |
|
2048 GB |
ODP x 4 |
16 |
6320 |
6650 |
4440 |
3810 |
NOTLAR:
Ortam sıcaklığında APF1Mxxx serisine göre.
Güç tüketiminin ortalama değeri, yüzde 100 dönüştürme verimliliğine dayalı olarak elde edilir.
Ölçülen güç voltajı 3,3 V'tur.
PS1'deki bir depolama cihazının sıcaklığı tüm iş yükleri için sabit kalmalı veya biraz düşmelidir, böylece PS1'deki gerçek güç PS0 değerinden düşük olmalıdır.
PS2'deki bir depolama cihazının sıcaklığı tüm iş yükleri için keskin bir şekilde düşmelidir, dolayısıyla PS2'deki gerçek güç PS1'den daha düşük olmalıdır.
5. ARAYÜZ
5.1. Pin Ataması ve Açıklamaları
Tablo {{0}}, PCI-SIG'nin PCI Express M.2 Spesifikasyonu sürüm 1.0'da açıklanan SSD kullanımı için dahili NGFF konektörünün sinyal atamasını tanımlar.
Tablo 5-1 HG2283 M.2 2280 Pin Ataması ve Açıklaması
|
iğne numarası |
PCIe Pimi |
Tanım |
|
1 |
GND |
YAPILANDIR_3=GND |
|
2 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
3 |
GND |
Zemin |
|
4 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
5 |
PETn3 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
6 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
7 |
PETp3 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
8 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
9 |
GND |
Zemin |
|
10 |
LED1# |
Açık tahliye, aktif düşük sinyal. Bu sinyaller, eklenti kartın sistem tarafından sağlanacak LED cihazlar aracılığıyla durum göstergeleri sağlamasına olanak sağlamak için kullanılır. |
|
11 |
PERn3 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
12 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
13 |
PERp3 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
14 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
15 |
GND |
Zemin |
|
16 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
17 |
PETn2 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
18 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
19 |
PETp2 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
20 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
21 |
GND |
Zemin |
|
22 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
23 |
PERn2 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
24 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
25 |
PERp2 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
26 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
27 |
GND |
Zemin |
|
28 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
29 |
PETn1 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
30 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
31 |
PETp1 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
32 |
GND |
Zemin |
|
33 |
GND |
Zemin |
|
34 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
35 |
PERn1 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
36 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
37 |
PERp1 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
iğne numarası |
PCIe Pimi |
Tanım |
|
38 N/C |
Bağlantı yok |
|
|
39 GND |
Zemin |
|
|
40 SMB_CLK (G/Ç)(0/1.8V) |
SMBus Saati; Platform üzerinde çekmeli Açık Tahliye |
|
|
41 |
PETn0 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
42 |
SMB{{0}}VERİ (G/Ç)(0/1.8V) |
SMBus Verileri; Platform üzerinde çekme ile Drenajı açın. |
|
43 |
PETp0 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe TX Diferansiyel sinyali |
|
44 |
ALERT#(O) (0/1.8V) |
Master'a uyarı bildirimi; Platform üzerinde çekmeli Açık Tahliye; Aktif düşük. |
|
45 |
GND |
Zemin |
|
46 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
47 |
PERn0 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
48 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
49 |
PERp0 |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe RX Diferansiyel sinyali |
|
50 |
PERST#(I)(0/3,3V) |
PE-Reset, PCIe Mini CEM spesifikasyonu tarafından tanımlandığı şekilde kartta işlevsel bir sıfırlamadır. |
|
51 |
GND |
Zemin |
|
52 |
CLKREQ#(G/Ç)(0/3,3V) |
Saat Talebi, PCIe Mini CEM spesifikasyonu tarafından tanımlanan bir referans saat talebi sinyalidir; L1 PM Alt-durumları tarafından da kullanılır. |
|
53 |
REFCLKn |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe Referans Saat sinyalleri (100 MHz). |
|
54 |
PEWAKE#(G/Ç)(0/3,3V) |
PCIe PME Uyandırma. Platform üzerinde yukarı çekmeli Açık Tahliye; Aktif düşük. |
|
55 |
REFCLKp |
PCI Express M.2 spesifikasyonu tarafından tanımlanan PCIe Referans Saat sinyalleri (100 MHz). |
|
56 |
MFG VERİLERİ için ayrılmıştır |
Üretim Veri hattı. Yalnızca SSD üretimi için kullanılır. Normal çalışmada kullanılmaz. Pimler platform Soketinde N/C bırakılmalıdır. |
|
57 |
GND |
Zemin |
|
58 |
MFG CLOCK için ayrılmıştır |
Saat hattı imalatı. Yalnızca SSD üretimi için kullanılır. Normal çalışmada kullanılmaz. Pimler platform Soketinde N/C bırakılmalıdır. |
|
59 |
Modül Anahtarı M |
Modül Anahtarı |
|
60 |
Modül Anahtarı M |
|
|
61 |
Modül Anahtarı M |
|
|
62 |
Modül Anahtarı M |
|
|
63 |
Modül Anahtarı M |
|
|
64 |
Modül Anahtarı M |
|
|
65 |
Modül Anahtarı M |
|
|
66 |
Modül Anahtarı M |
|
|
67 |
N/C |
Bağlantı yok |
|
68 |
SUSCLK(32KHz) (I)(0/3.3V) |
Modülün gücünü ve maliyetini azaltmak için platform yonga seti tarafından sağlanan 32.768 kHz saat besleme girişi. |
|
69 |
NC |
YAPILANDIRMA_1=Bağlantı yok |
|
70 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
71 |
GND |
Zemin |
|
72 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
73 |
GND |
Zemin |
|
74 |
3.3V |
3.3V kaynak |
|
75 |
GND |
YAPILANDIRMA_2=Zemin |
Form faktörü: M.2 2280 S2
Boyutlar: 80.00mm (U) x 22.00mm (G) x 2.15mm (Y)
|
Yönü Görüntüle |
Diyagram |
|
Tepe |
![]()
|
|
Alt |
|
|
Yönü Görüntüle |
Diyagram |
|
Taraf |
|
|
|
|

Şekil 7-1 Ürün Mekanik Şeması ve Boyutları
8. UYGULAMA NOTLARI
8.1. Wafer Level Chip Scale Paketleme (WLCSP) İşleme Önlemleri
Tek bir SSD cihazında bir araya getirilmiş birçok bileşen vardır. Özellikle PMIC, termal sensör veya yük anahtarı gibi herhangi bir WLCSP (Wafer Level Chip Scale Packaging) bileşenine sahip olduğunda lütfen sürücüyü dikkatli kullanın. WLCSP, daha küçük ayak izleri oluşturmak için yaygın olarak benimsenen paketleme teknolojilerinden biridir, ancak herhangi bir darbe veya çizik bu ultra küçük parçalara zarar verebilir, bu nedenle dikkatli bir şekilde kullanılması şiddetle tavsiye edilir.
SSD'yi DÜŞÜRMEYİN
SSD'Yİ DİKKATLİ BİR ŞEKİLDE TAKIN
SSD'Yİ UYGUN BİR PAKETTE YARATIN
8.2. M Tuşu M.2 SSD Montaj Önlemleri
M Key M.2 SSD (Şekil 1) sadece M Key (Şekil 2) yuvası ile uyumludur. Kullanım Örneği 2'de gösterildiği gibi, yanlış kullanım SSD'de yanma dahil olmak üzere ciddi hasarlara neden olabilir.
Şekil 8-1 M Tuşu M.2 Montaj Önlemleri

Popüler Etiketler: YENİ M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 artı HYNIX V7, Çin YENİ M.2 PCIE NVME SSD 256GB 512GB 1T 2T HG2283 artı HYNIX V7, SD kart için CF kart adaptörü, CF kartından SD kart adaptörü, CF Bellek Kartı Adaptörü, bellek çubuk adaptörü, Memory Stick Duo - SD Adaptör, USB CF kart adaptörü
Soruşturma göndermek
















